Ion Implantation Graphite Parts
고온·고진공·플라즈마 환경의 정밀 부품
반도체 이온 주입 공정의 이온 빔 경로 및 웨이퍼 홀더 안정성을 보장하는 초정밀 흑연 솔루션.
핵심 경쟁력
아킹(Arcing) 방지 및 PM 주기 연장
이온 빔 스퍼터링(Sputtering)에 의한 부품 식각률을 최소화하는 고밀도 등방성 흑연을 적용했습니다. 장비 내부의 파티클 발생을 억제하여 치명적인 아킹(Arcing) 불량을 원천 차단하고, 부품 교체 주기(PM)를 획기적으로 연장합니다.
중금속 오염(Metal Contamination) 제로화
2,000℃ 이상의 고온 할로겐 정제 공정을 통해 Ash Content를 5 ppm 미만으로 통제합니다. 초고진공(UHV) 환경에서 아웃개싱을 제거하여 웨이퍼의 수율을 떨어뜨리는 불순물 오염 리스크를 완벽히 차단합니다.
이온 빔 궤적 제어를 위한 초정밀 Slit 가공
이온 빔의 크기와 형태를 결정짓는 추출 전극(Extraction Electrode) 및 슬릿(Slit)의 칼날 같은 형상을 ±0.01mm 공차로 구현합니다. 나노미터급 선폭 제어를 위한 완벽한 빔 포커싱을 지원합니다.
임플란트 특화 열분해 탄소(PyC) 코팅
고에너지 이온 충격이 집중되는 부품 표면에 고밀도 PyC(Pyrolytic Carbon) 코팅 처리를 적용합니다. 흑연 본연의 기공을 완벽히 밀봉하여 가스 침투를 막고 플라즈마 저항성을 극한으로 끌어올립니다.
적용 분야
아크 챔버 및 소스 부품 (Arc Chamber & Source)
IHC(Indirectly Heated Cathode)·Bernas 타입 소스 내부의 아크 챔버 라이너, 리펠러(Repeller), 캐소드 인슐레이터(Cathode Insulator), 소스 슬릿(Source Slit) 등 플라즈마에 직접 노출되는 핵심 소모성 부품에 적용됩니다.
이온이 생성되는 플라즈마 소스 내부의 챔버, 필라멘트, 캐소드(Cathode) 절연 부품.
이온 빔 추출 및 포커싱 (Beamline Electrodes)
이온 빔을 뽑아내는 추출 전극(Extraction Electrode), 전자 역류를 막는 서프레션 전극(Suppression Electrode), 빔 단면을 정의하는 그라운드 슬릿(Ground Slit), 분석 자석(Analyzer Magnet) 후단의 리졸빙 슬릿(Resolving Slit)과 가속관 부품 일체에 대응합니다.
이온 빔을 뽑아내고 궤적을 다듬는 Extraction Electrode, Suppression Electrode 및 Ground Slit.
웨이퍼 고정 및 쿨링 (Platen & Chuck)
정전기력으로 웨이퍼를 고정하는 ESC(Electrostatic Chuck) 플래튼, 빔 균일도 측정용 패러데이 컵(Faraday Cup), 빔 라인 디스크(Disk) 및 빔 덤프(Beam Dump) 등 빔 라인 전 구간에 적용됩니다.
이온 충격 시 발생하는 고열로부터 웨이퍼를 보호하고 고정하는 정밀 플래튼(Platen).