SiC Coated Susceptor
MOCVD·에피택시 공정 수율 향상
99.9995% 고순도 ±0.01mm 정밀 가공 + CVD SiC 코팅으로 박막 성장 균일성과 오염 방지를 동시에 구현하는 반도체 서셉터.
핵심 경쟁력
아웃가싱(Outgassing) 차단 및 파티클 제로화
단순한 고순도를 넘어, 고온 진공 상태에서 불순물 가스가 배출되는 아웃가싱 현상을 원천 차단합니다. Ash Content 5 ppm 미만의 소재와 치밀한 SiC 코팅막이 결합하여 에피택셜(Epitaxial) 성장 중 발생하는 치명적인 파티클 오염을 방지합니다.
완벽한 열 균일성(Thermal Uniformity) 및 워피지(Warpage) 방지
서셉터의 평탄도는 곧 웨이퍼의 수율입니다. ±0.01mm의 초정밀 5축 가공으로 웨이퍼와 서셉터 간의 밀착력을 극대화하여 국부적인 온도 편차를 없애고 고온 공정에서의 웨이퍼 휨(Warpage) 현상을 방지합니다.
코팅 박리(Peeling) 없는 극한의 결합력과 내화학성
일반 코팅의 가장 큰 리스크인 열팽창 계수 차이에 의한 코팅 박리(Peeling) 문제를 해결했습니다. 흑연 모재와의 완벽한 열적 매칭과 ±5% 이내의 균일한 CVD 코팅층으로 플라즈마 및 강산성 세정 가스(HCl 등) 환경에서도 수명을 극대화합니다.
적용 분야
MOCVD 박막 성장 (Metal-Organic CVD)
화합물 반도체 및 고휘도 LED 제조의 핵심 공정. 균일한 온도 분포(Thermal Profile)와 무오염 기반으로 박막 가스의 정밀 형성을 제어합니다.
Epitaxy 공정 (Epitaxy Process)
실리콘(Si) 및 화합물 단결정 성장 공정. 1,000℃ 이상의 초고온 환경에서 불순물 확산을 막아 초고순도 에피층(Epi-layer) 형성을 보장합니다.
차세대 전력 반도체 (SiC, GaN Power Devices)
전기차 및 급속 충전기에 사용되는 SiC/GaN 화합물 웨이퍼 공정. 극한의 플라즈마 식각 및 고온 어닐링 공정에 견디는 필수 소모품입니다.
단결정 성장 도가니 및 부품 (Crystal Growth)
초크랄스키(CZ) 및 PVT 공법을 이용한 잉곳(Ingot) 성장 시, 안정적인 열 차폐 및 카본 오염 방지를 제공합니다.